| 起源の場所: | 中国 |
|---|---|
| ブランド名: | RFan |
| 証明: | UL |
| モデル番号: | MX5069 |
| 最小注文数量: | 3000 |
| 価格: | negotiable |
| 受渡し時間: | 2-4weeks |
| 支払条件: | L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム |
| 逆の極性の保護: | そうだ | 製造者: | 複数の製造者 |
|---|---|---|---|
| 超電流保護: | そうだ | 動作温度範囲: | -40°Cへの+125°C |
| 過電圧の保護: | そうだ | パッケージの種類: | 表面マウント |
| 短回路保護: | そうだ | ||
| ハイライト: | MX5069 消耗IC,48V EFuse IC について,24V EFuse IC について |
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E-フィューズ MX5069 高端N_FETドライバー 24Vおよび48V産業システムの電力配電を効率的に管理する
MX5069高端N_FETドライバは外部MOSFETで動作し,電源に連続接続されたときに理想的な二極管直線器として機能します.このコントローラにより,MOSFETは電源配送ネットワークにおける二極管直線器を入れ替える電力損失と電圧低下を減らすMX5069コントローラは,外部のNチャンネルMOSFETとFETの逆流の時にFETをオフにする迅速な応答比較装置のための充電ポンプゲートドライブを提供します..外部のシリーズパスNチャネルの電流制限.MOSFETはプログラム可能である.入力低電圧と過電圧ロックアウトレベルは抵抗分割ネットワークによってプログラム可能である.MX5069は固定作業サイクルで自動的に再起動MX5069は10ピンDFN3*3とMSOP10Lパッケージで提供されています.
特徴
* 広い動作範囲: 5V から 85V
* 調整可能な電流制限
* 重度の過電事件に対する断路機能
* 外部NチャネルMOSFETのための内部高サイド充電ポンプとゲートドライバー
* 50ns 急速な反応の電流逆転
* 調整可能な低電圧ロックアウト (UVLO)
* 調整可能な電圧過剰ロック (OVP)
*アクティブ低オープン排水 POWER GOOD出力
* 自動再起動で利用可能
* 10-ピン DFN3*3-10L と MSOP10 パッケージ
申請
* サーバーバックプレーンシステム
* ベースステーションの電源配送システム
* 固体断路器
* 24Vと48V産業用システム
注文情報
| 部分番号 | 記述 |
| MX5069D | DFN3*3-10L |
| MX5069MS | MSOP10L |
| MPQ | 3000個 |
パッケージの散布トン
| パッケージ | RθJA (°C/W) |
| DFN3*3-10L | 50 |
| MSOP10 | 156 |
絶対最大格付け
| パラメータ | 価値 |
| VINからGNDへ | -0.3から90V |
| SENSE,GNDへ出ている | -0.3から90V |
| GNDへのゲート | -0.3から100V |
| OUT から GND に (1ms トランジエント) | -0.3から95V |
| UVLOからGNDへ | -0.3から90V |
| OVP,PGDからGNDへ | -0.3から7V |
| VINからSENSEへ | -0.3から0.3V |
| ILIMからGNDへ | -0.3Vから3.5V |
| 最大交差点温度 TJMAX | 150°C |
| 保存温度,Tstg | -65〜150°C |
絶対最大容量に記載されている以上のストレスは,装置に永久的な損傷を引き起こす可能性があります.
長期間の絶対最大評価条件は,信頼性に影響を与える可能性があります.
推奨運転条件のセクションで示した条件を超えた条件は暗示されていません.
推奨されている操作条件イオン
| シンボル | 範囲 |
| 供給電圧 | 5Vから85V |
| PGDオフ電圧 | 0~5V |
| ILIM電圧 | 2.7V 最大 |
| 交差点温度 | -40〜125°C |
ターミナル割り当て
| パン番号 | PIN名 | 記述 | |
| MSOP10 | DFN3*3 | ||
| 1 | 10 | センセ | 電流感知入力:電流感知レジスタ (RS) の電圧は,VINからこのピンに測定されます. |
| 2 | 9 | VIN | ポジティブな電源入力:このピンに近い小さなセラミックバイパスコンデンサが,負荷電流が切断されたときに発生するトランジエントを抑制するために推奨されます. |
| 3 | 1 | UVLO/EN について |
これは二重機能の制御ピンで,ENABLEピンとして使えば,内部パスMOSFETをオフにします. UVLOpinとして,外部のレジスタントディバイダー経由で異なるUVLOトリップポイントをプログラムするために使用できます. |
| 4 | 2 | OVP | 超電圧ロックアウト: システム入力電圧から外部レジスタを分割する装置が超電圧オフドレッホを設定する.ピン上の無効ドレッホは1.23Vである. |
| 5 | 8 | GND | サーキット・グラウンド |
| 6 | 3 | SST | このPinto GNDのコンデンサータが出力電圧のスローレートを設定します |
| 7 | 4 | ILIM | 電流制限セット:このピンに接続された外部抵抗器で,電流検出抵抗器と組み合わせて過電源保護を実現する. |
| 8 | 5 | PGD | パワー・グッド・インジケーター:開いた排水出力. |
| 9 | 7 | 外へ | 出力フィードバック:出力レール (外部MOSFETソース) に接続する. |
| 10 | 6 | ゲート | ゲートドライブ出力:外部MOSFETのゲートに接続する.このピンの電圧は通常,有効なときにOUTピンの12V以上である. |
電気用品リスティックス
VIN=12V,UVLO=2V,OVP=GND,TJ=25°C,別記がない限り
| シンボル | パラメーター | 試験条件 | ミニ | タイプ | マックス | ユニット |
| INPUT (VIN PIN) | ||||||
| VIN | 5 | 85 | V | |||
| IQON | 供給電流 | オン: EN/UVLO = 2V | 0.50 | 0.70 | 0.9 | mA |
| IQOFF | EN/UVLO = 0V | 0.50 | 0.60 | 0.70 | mA | |
| EN/UVLO | ||||||
| UVLOR | UVLO 限界電圧 | 上昇する | 1.57 | V | ||
| UVLOF | UVLO 限界電圧 | 落ちる | 1.40 | V | ||
| IUVLO | UVLO漏れ電流 | EN/UVLO = 0V | - 2つ6 | uA | ||
| tDUVLO | UVLO遅延 | GATE 高値への遅延 | 840 | 私達 | ||
| GATE の遅延が低い | 3.4 | 私達 | ||||
| OVPPINS | ||||||
| OVPR | OVP 限界電圧 | 増えている | 1.23 | V | ||
| OVPF | OVP 限界電圧 | 落ちる | 1.14 | V | ||
| tDOVP | OVPの遅延 | GATE 高値への遅延 | 13.8 | μs | ||
| GATE の遅延が低い | 4.4 | |||||
| IOVP | OVPバイアス電流 | 0 | 2 | μA | ||
| OUT PIN | ||||||
| IOUT-EN | OUTバイアス電流,有効 | OUT = VIN | 10 | μA | ||
| IOUT-DIS | OUTバイアス電流,無効 | 障害者,OUT = 0V,SENSE = VIN | 22 | |||
| GATE コントロール (GATE PIN) | ||||||
| 源電流 | 正常運転 | 1 | 32 | 40 | μA | |
| IGATE | シンク電流 | UVLO < 1.40V | 0.1 | uA | ||
| VIN から SENSE = 150mV | 2 | A について | ||||
| VGATE | 通常の動作中のゲート出力電圧 | ゲートアウト電圧 | 8 | 10 | 14 | V |
| VSD (REV) | VSD 逆値 VIN < VOUT | VIN - VOUT | -20歳 | -12 | -1 | mV |
| tSD (REV) | ゲートをオフする時間 逆転 | 36 | ns | |||
| 現行制限 | ||||||
| IILIM | ILIM 充電電流 | 20 | uA | |||
| カ | 40 | mV/mV | ||||
| SST (SST PIN) | ||||||
| ISST | SST 充電電流 | 正常運転 | 0 | 2 | 5 | uA |
| RSST | SST 放電抵抗 | 60 | 75 | 90 | オー | |
| VSSTマックス | SST最大コンデンサータ電圧 | 5.2 | V | |||
| 利益 | SSTからGATEへの利益 | 33 | V/V | |||
| PGD | ||||||
| VPGD | 出力低電圧 | ISINK = 2mA | 140 | 180 | mV | |
| IPGD | 流出電流が止まる | VPGD = 5V | 0 | μA | ||
