Wysokiej klasy sterownik E-Fuse MX5069 N_FET efektywnie zarządza dystrybucją mocy w systemach przemysłowych 24 V i 48 V
Zaawansowany sterownik N_FET MX5069 współpracuje z zewnętrznym MOSFET-em i po podłączeniu szeregowym z zasilaczem działa jak idealny prostownik diodowy. Kontroler ten umożliwia tranzystorom MOSFET zastąpienie prostowników diodowych w sieciach dystrybucji energii, zmniejszając straty mocy i spadek napięcia. Sterownik MX5069 zapewnia sterowanie bramką pompy ładującej dla zewnętrznego N-kanałowego MOSFET-a oraz komparator o szybkiej reakcji, który wyłącza tranzystor FET, gdy prąd płynie w odwrotnym kierunku. Ograniczenie prądu w zewnętrznym kanale N z przejściem szeregowym. MOSFET jest programowalny. Poziomy blokady podnapięciowego i przepięciowego wejścia są programowane przez sieci dzielników rezystancyjnych. MX5069 automatycznie uruchamia się ponownie po ustalonym cyklu pracy. MX5069 jest dostępny w 10-pinowym pakiecie DFN3*3 i MSOP10L.
Cechy
* Szeroki zakres działania: od 5 V do 85 V
* Regulowany limit prądu
* Funkcja wyłącznika automatycznego w przypadku poważnych zdarzeń przetężenia
* Wewnętrzna pompa ładująca po stronie wysokiego napięcia i sterownik bramki dla zewnętrznego MOSFET-a z kanałem N
* Szybka reakcja 50 ns na odwrócenie prądu
* Regulowana blokada podnapięciowa (UVLO)
* Regulowana blokada przepięciowa (OVP)
* Aktywny niski otwarty drenaż WYJŚCIE DOBRA MOC
* Dostępne z automatycznym ponownym uruchomieniem
* 10-pinowy pakiet DFN3*3-10L i MSOP10
Aplikacje
* Systemy serwerowej płyty montażowej
* Systemy dystrybucji zasilania stacji bazowych
* Wyłącznik półprzewodnikowy
* Systemy przemysłowe 24V i 48V
Informacje o zamówieniu
| Numer części |
Opis |
| MX5069D |
DFN3*3-10L |
| MX5069MS |
MSOP10L |
| MPQ |
3000szt |
Rozpraszanie pakietu rating
| Pakiet |
RθJA (℃/W) |
| DFN3*3-10L |
50 |
| MSOP10 |
156 |
Absolutne maksimum ocen
| Parametr |
Wartość |
| VIN do GND |
-0,3 do 90 V |
| SENSE, OUT do GND |
-0,3 do 90 V |
| BRAMA do GND |
-0,3 do 100 V |
| OUT do GND (przejściowe 1 ms) |
-0,3 do 95 V |
| UVLO do GND |
-0,3 do 90 V |
| OVP, PGD do GND |
-0,3 do 7 V |
| VIN do SENSE |
-0,3 do 0,3 V |
| ILIM do GND |
-0,3 V do 3,5 V |
| Maksymalna temperatura złącza, TJMAX |
150 ℃ |
| Temperatura przechowywania, Tstg |
-65 do 150 ℃ |
Naprężenia wykraczające poza te wymienione w wartościach bezwzględnych maksymalnych mogą spowodować trwałe uszkodzenie urządzenia. Narażenie na
bezwzględne warunki maksymalnej wartości znamionowej przez dłuższy czas mogą mieć wpływ na niezawodność. Funkcjonalna praca urządzenia w dowolnym miejscu
warunkach wykraczających poza te wskazane w sekcji Zalecane warunki pracy nie jest sugerowane.
Zalecany stan pracyracja
| Symbol |
Zakres |
| Napięcie zasilania |
5 do 85 V |
| Napięcie wyłączenia PGD |
0 do 5 V |
| Napięcie ILIMA |
Maks. 2,7 V |
| Temperatura złącza |
-40 do 125 ℃ |
Zadania terminali
| NR PIN |
Nazwa PIN-u |
Opis |
| MSPO 10 |
DFN3*3 |
| 1 |
10 |
SENS |
Wejście pomiaru prądu: Napięcie na rezystorze pomiaru prądu (RS) jest mierzone od VIN do tego styku. |
| 2 |
9 |
VIN |
Dodatnie wejście zasilania: Zaleca się umieszczenie małego ceramicznego kondensatora obejściowego w pobliżu tego styku w celu tłumienia stanów nieustalonych, które występują, gdy prąd obciążenia jest wyłączony. |
| 3 |
1 |
UVLO/PL |
Jest to dwufunkcyjny pin sterujący. Kiedy jest używany jako pin ENABLE i pociągnięty w dół, wyłącza wewnętrzny tranzystor MOSFET.
Jako UVLOpin można go używać do programowania różnych punktów wyzwalania UVLO poprzez zewnętrzny dzielnik rezystorowy.
|
| 4 |
2 |
OVP |
Blokada przepięciowa: Zewnętrzny dzielnik rezystorowy napięcia wejściowego systemu ustawia próg wyłączenia przepięciowego. Wyłączony próg na pinie wynosi 1,23 V. |
| 5 |
8 |
GND |
Uziemienie obwodu |
| 6 |
3 |
SST |
Kondensator z tego pinu do GND ustawia szybkość narastania napięcia wyjściowego. |
| 7 |
4 |
ILIM |
Zestaw ograniczenia prądu: Zewnętrzny rezystor podłączony do tego styku w połączeniu z rezystorem wykrywającym prąd w celu uzyskania zabezpieczenia nadprądowego. |
| 8 |
5 |
PGD |
Wskaźnik dobrego zasilania: Otwarty wylot drenu. |
| 9 |
7 |
NA ZEWNĄTRZ |
Sygnał zwrotny wyjścia: Podłącz do szyny wyjściowej (zewnętrzne źródło MOSFET). |
| 10 |
6 |
BRAMA |
Wyjście napędu bramki: Podłącz do zewnętrznej bramki MOSFET. Napięcie tego pinu wynosi zazwyczaj 12 V powyżej pinu OUT, gdy jest włączone. |
Charakter elektrycznyristystyka
VIN = 12 V, UVLO = 2 V, OVP = GND, TJ = 25°C, chyba że zaznaczono inaczej.
| Symbol |
PARAMETR |
WARUNKI TESTU |
MIN |
TYP |
MAKS |
JEDNOSTKA |
| WEJŚCIE (PIN VIN) |
| VIN |
|
|
5 |
|
85 |
V |
| IQON |
Prąd zasilania |
Włączone: EN/UVLO = 2V |
0,50 |
0,70 |
0,9 |
mama |
| IQOFF |
EN/UVLO = 0 V |
0,50 |
0,60 |
0,70 |
mama |
| PL/UVLO |
| UVLOR |
Napięcie progowe UVLO |
rosnący |
|
1,57 |
|
V |
| UVLOF |
Napięcie progowe UVLO |
spadający |
|
1,40 |
|
V |
| IUVLO |
Prąd upływowy UVLO |
EN/UVLO = 0 V |
|
-2,6 |
|
uA |
| tDUVLO |
Opóźnienie UVLO |
Opóźnienie do GATE wysokie |
|
840 |
|
nas |
| Opóźnienie do GATE niskie |
|
3.4 |
|
nas |
| PINY OVP |
| OVPR |
Napięcie progowe OVP |
Rosnący |
|
1,23 |
|
V |
| OVPF |
Napięcie progowe OVP |
Spadający |
|
1.14 |
|
V |
| tDOVP |
Opóźnienie OVP |
Opóźnienie do GATE wysokie |
|
13.8 |
|
µs |
| Opóźnienie do GATE niskie |
|
4.4 |
|
| IOVP |
Prąd polaryzacji OVP |
|
0 |
|
2 |
µA |
| WYJŚCIOWY PIN |
| IOUT-EN |
Prąd polaryzacji OUT, włączony |
WYJŚCIE = VIN |
|
10 |
|
µA |
| IOUT-DIS |
Prąd polaryzacji OUT, wyłączony |
Wyłączone, OUT = 0 V, SENSE = VIN |
|
22 |
|
| STEROWANIE BRAMĄ (BRAMKA PIN) |
| |
Prąd źródłowy |
Normalna praca |
1 |
32 |
40 |
µA |
| IGATA |
Prąd zlewu |
UVLO < 1,40 V |
|
0,1 |
|
uA |
| VIN do SENSE = 150mV |
|
2 |
|
A |
| VGATE |
Napięcie wyjściowe bramki podczas normalnej pracy |
Napięcie GATE-OUT |
8 |
10 |
14 |
V |
| VSD(REW) |
Odwrotny próg VSD VIN < VOUT |
VIN - VOUT |
-20 |
-12 |
-1 |
mV |
| tSD(REV) |
Czas wyłączenia bramy dla biegu wstecznego |
|
|
36 |
|
ns |
| AKTUALNY LIMIT |
| IILIM |
ILIM Prąd ładowania |
|
|
20 |
|
uA |
| KA |
|
|
|
40 |
|
mV/mV |
| SST (kod SST) |
| ISST |
SST Prąd ładowania |
Normalna praca |
0 |
2 |
5 |
uA |
| RSST |
SST Rezystancja rozładowania |
|
60 |
75 |
90 |
Ω |
| VSSTmax |
Maksymalne napięcie kondensatora SST |
|
|
5.2 |
|
V |
| GAINSST |
SST do wzmocnienia GATE |
|
|
33 |
|
V/V |
| PGD |
| VPGD |
Niskie napięcie wyjściowe |
ISINK = 2mA |
|
140 |
180 |
mV |
| IPGD |
Wyłączony prąd upływowy |
VPGD = 5 V |
0 |
µA |
Twoja wiadomość musi mieć od 20 do 3000 znaków!
